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ZnO壓敏電阻陶瓷的性能是壓敏陶瓷中為優異的一種。近年來，由于電子設備向小型化、多功能化發展，集成電路的集成速度和密度不斷提高，為了使電子線路免遭浪涌電壓的破壞，在低壓領域內對壓敏電阻器的應用也提出了越來越高的要求，因此ZnO的低壓化成為研究的熱點。為了尋求一個相對合適的ZnO壓敏陶瓷的低壓化配方，并且將所學專業理論知識與實際相結合，經文獻查閱，我們設計了添加劑的量依次適當增加的四組平行實驗來進行研究。本文首先簡析了ZnO壓敏陶瓷材料的概念、結構、研究現狀及壓敏電阻的性能參數，并詳細解釋了其導電機理。同時對制備ZnO壓敏陶瓷的基本工藝流程做了初步的了解，通過熱分析的實驗和老師的指導得出，燒結溫度分別為1160℃、1180℃，1200℃三個溫度下保溫2h的燒結條件。

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壓敏電阻交流作用下的老化機理

交流作用下。在正半周時，假設右側為正極性，電壓主要加在右側的耗盡層上，使右側的Zni向晶界遷移，而左側所加電壓很低，Zn

i向晶粒內遷移不大；在負半周，電壓主要加在左側，使左側Zni向晶界遷移，右側這時所加電壓很低，Zni向晶粒體內遷移不大。總的結果是左右兩側的Zni都向晶界遷移。

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